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如何設計最安全的CAN總線拓撲？
CAN總線的應用越來越廣泛，工程師在各種不同工況下，如何選擇最合適的網絡拓撲方式呢？本篇文章將介紹主流的幾種總線拓撲方式，以及如何解決CAN總線故障。
2022-09-23
CAN總線 拓撲
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整流電容濾波負載實例
六期連載，整流電路AC/DC變換應用非常廣泛，其中二極管整流在電機驅動中是主流的方案，而且功率范圍很廣，所以了解二極管整流工程設計非常重要。
2022-09-23
整流 電容濾波 負載
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什么是雪崩失效
當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導致碰撞電離，從而產生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪...
2022-09-22
MOSFET 失效機理 雪崩擊穿
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用NCV7685加速汽車后尾燈設計
汽車照明行業正處于演變中；LED（發光二極管）在高端車型中比傳統燈泡（鹵素燈和氙氣燈/HID）更受歡迎，因為它在功耗、使用壽命、光強度和尺寸方面具有優勢。LED 或 LED 燈串的緊湊尺寸為汽車照明設計帶來了靈活性和想象力，如矩陣大燈和動態尾燈。
2022-09-21
NCV7685 汽車后尾燈 安森美
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除了氮化鎵，快充技術還須關注哪些領域？
硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導體，第二代半導體在高頻性能上優于硅器件，通常用于射頻應用。
2022-09-21
氮化鎵 快充技術
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電動汽車充電的三大設計注意事項
用于商業和住宅用途的典型電動汽車 (EV) 充電站設計包括電能計量、剩余電流檢測（交流和直流）、隔離安全合規性、繼電器和接觸器，還具有驅動功能、雙向通信以及服務和用戶界面。雖然充電站的目標是高效地將電力傳輸到車輛，但實現電力傳輸是其最初的功能。
2022-09-20
電動汽車 充電 設計
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關斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導通行為的影響
本文探討了關斷時發生的柵極電壓欠沖對導通開關特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應，指柵偏壓變化時，閾值電壓的完全可恢復瞬態偏移。閾值電壓的遲滯效應是由半導體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關斷時的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關特性產生影響。
2022-09-20
柵極電壓欠沖 SiC MOSFET 導通
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關技術，大家耳熟能詳的有零電壓開通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現在的電源產品中，絕大多數的采用軟開關拓撲的電源產品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔...
2022-09-19
IGBT ZVS ZCS
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以Si...
2022-09-19
測試測量 SiC MOSFET 柵-源電壓
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