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應對電能質量監測新挑戰，ADI助力配電網數字化轉型
隨著各類新能源設備不斷增加，低碳環保成為能源行業的主流，如何有效治理配網電能質量是提高配網可靠、安全運行以及推動主動配電網技術應用發展的關鍵，對電網質量的管控也要求越來越多的電力設備能增加電能質量檢測模塊。一方面，電力電子設備的大量接入，使得輸配電網的電能質量呈現新特征、新問...
2022-09-20
電能質量 ADI 配電網
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你的功率模塊能在應用中運行多長時間？
功率模塊是大功率電力電子系統的核心部件。因此，它們的壽命對最終產品的可靠性有重要影響。為了了解真實的工況如何影響功率模塊，必須進行復雜的模擬仿真，由于工況文件冗長且復雜多變, 往往將仿真工具和方法推到極限。出于這個原因，在仿真方法和半導體特性方面需要高水平的專業知識。了解功率模...
2022-09-20
功率模塊 電力電子
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MOS管的Miller 效應
本文對于 MOS 管工作在開關狀態下的 Miller 效應的原因與現象進行了分析。巧妙的應用 Miller 效應可以實現電源的緩啟動。
2022-09-20
MOS管 米勒效應
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這個技術，改善你的電源系統設計！
隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，因此這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩壓器模塊(VRM)提供。
2022-09-20
電源系統 設計 ADI
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電動汽車充電的三大設計注意事項
用于商業和住宅用途的典型電動汽車 (EV) 充電站設計包括電能計量、剩余電流檢測（交流和直流）、隔離安全合規性、繼電器和接觸器，還具有驅動功能、雙向通信以及服務和用戶界面。雖然充電站的目標是高效地將電力傳輸到車輛，但實現電力傳輸是其最初的功能。
2022-09-20
電動汽車 充電 設計
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關斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導通行為的影響
本文探討了關斷時發生的柵極電壓欠沖對導通開關特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應，指柵偏壓變化時，閾值電壓的完全可恢復瞬態偏移。閾值電壓的遲滯效應是由半導體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關斷時的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關特性產生影響。
2022-09-20
柵極電壓欠沖 SiC MOSFET 導通
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除了氮化鎵，快充技術還須關注哪些領域？
硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導體，第二代半導體在高頻性能上優于硅器件，通常用于射頻應用。
2022-09-19
氮化鎵 快充技術
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瑞薩RA MCU在BMS產品中的應用
BMS電池管理系統一般包含以下幾個部分：電壓采樣、電流采樣、充放電控制、硬件過流保護、SOC算法、對外的通信接口等。本案例中SOC算法和通信接口，由RA2L1（R7FA2L1A93CFL）完成，其余部分由AFE（Analog Front End）模擬前端芯片ISL489206或ISL489204（14串）完成。
2022-09-19
瑞薩 MCU BMS
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關技術，大家耳熟能詳的有零電壓開通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現在的電源產品中，絕大多數的采用軟開關拓撲的電源產品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔...
2022-09-19
IGBT ZVS ZCS
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