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Sallen-Key低通濾波器設計
本文討論了 Sallen-Key 低通濾波器的設計。為了便于具體電路參數選擇，采用了比率 設計方案進行討論，大大提高了電路參數的實現可能性。
2022-09-20
Sallen-Key 低通濾波器
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高功率GaN RF放大器的熱考慮因素
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的...
2022-09-19
GaN RF放大器
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整流電容濾波負載原理——看似簡單的整流電路詳解（四）
六期連載，整流電路AC/DC變換應用非常廣泛，其中二極管整流在電機驅動中是主流的方案，而且功率范圍很廣，所以了解二極管整流工程設計非常重要。
2022-09-16
整流 電容濾波 原理
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讓數字預失真的故障排除和微調不再難 必備攻略請查收
本文介紹ADI ADRV9002的數字預失真(DPD)功能。所用的一些調試技術也可應用于一般DPD系統。首先，概述關于DPD的背景信息，以及用戶試驗其系統時可能會遇到的一些典型問題。最后，文章介紹在DPD軟件工具幫助下可應用于DPD算法以分析性能的調優策略。
2022-09-16
數字預失真 ADI ADRV9002
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GaN HEMT 大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8 W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數的非線性與信號電平、熱效應和環境條件之間存在復雜的依賴關系。這...
2022-09-15
GaN HEMT 功率放大器
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帶有分布式鎖相環的相控陣的系統級LO相位噪聲模型
對于數字波束成形相控陣，要生成LO，通常會考慮的實現方法是向分布于天線陣列中的一系列鎖相環分配常用基準頻率。對于這些分布式鎖相環，目前文獻中還沒有充分記錄用于評估組合相位噪聲性能的方法。
2022-09-14
鎖相環 相控陣 相位噪聲
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巧用LC濾波器額，改善高速DAC電源相位噪聲！
對于高速DAC供電電源的選擇，LDO是久經考驗的穩壓器，尤其適合用來實現優質噪聲性能。相關技術資訊，可參閱文章：選擇超低噪聲的LDO來改善相位噪聲 。
2022-09-13
LC濾波器 DAC 相位噪聲
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什么是射頻衰減器？如何為我的應用選擇合適的RF衰減器？
本文延續之前的一系列短文，面向非射頻工程師講解射頻技術；我們將探討IC衰減器，并針對其類型、配置和規格提出一些見解。本文旨在幫助工程師更快了解各種IC產品，并為終端應用選擇合適的產品。該系列的相關文章包括："為應用選擇合適的RF放大器指南"、"如何輕松選擇合適的頻率產生器件"和"RF解密–...
2022-09-09
RF 衰減器 終端應用
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多波束相控陣接收機混合波束成型功耗優勢的定量分析
本文對模擬、數字和混合波束成型架構的能效比進行了比較，并針對接收相控陣開發了這三種架構的功耗的詳細方程模型。該模型清楚說明了各種器件對總功耗的貢獻，以及功耗如何隨陣列的各種參數而變化。對不同陣列架構的功耗/波束帶寬積的比較表明，對于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優勢。
2022-09-09
相控陣 接收機 波束成型
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